Transistor di potenza NPN scambio veloce ad alta tensione A5
Il transistor di potenza NPN scambio veloce ad alta tensione è adatto per illuminazione e alimentazioni di potenza in modalità alternata a basso costo. Viene fabbricato adottando la tecnologia planare epitassiale multipla ad alta tensione per ottenere elevata velocità così come capacità di tensione, presenta struttura di emittore cellulare con terminazioni planari in grado di cambiare la velocità mantenendo però ampia l’area di utilizzo di correzione inversa (RBSOA).
Caratteristiche
1. Transistor NPN
2. Elevata capacità di voltaggio
3. Velocità cambio molto elevata
4. Basso cambio di parametri tecnici
5. Diodo emittore-collettore antiparallelo integrato
6. Estensione minima per operazioni affidabili
Applicazioni
Il transistor di potenza ha trovato impiego in molti campi applicativi come resistenze elettriche per illuminazione a fluorescenza, convertitori a bassa potenza con transistor singolo diretto e di ritorno, ecc.
| Parametri | Simbolo | Valore | Unit |
| Tensione ingresso | VI | -35 | V |
| Tensione di uscita | VO | -15 | V |
| Corrente di picco | IPK | -2.2 | A |
| Intervallo temperatura di utilizzo | TORP | 0 to125 | °C |
| Intervallo temperatura di stoccaggio | TSTG | -65 to 150 | °C |
| Parametri | Simbolo | Condizioni test | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| Tensione di uscita | VO | VI=-18V to -30V | -14.55 | -15 | -15.45 | V |
| Regolazione linea | Reg linea | VI=-17.5V to -30V | - | -12 | -300 | mV |
| VI=-20V to -26V | - | -6.0 | -150 | |||
| Regolazione carico | Reg carico | IO=-5.0mA to -1.5A | - | -12 | -300 | mV |
| IO=-250mA to -750mA | - | -4 | -150 | |||
| Corrente quiescente | IQ | TJ= 25°C | - | -3 | -6 | mA |
| Cambio corrente quiescente | ΔIQ | IO=-5mA to -1.5A | - | - | -0.5 | mA |
| VI=-18.5V to -30V | - | - | -1.0 | |||
| Rigetto corrente ondulata | RR | f=120HZ, VO=-18V to -28V | 54 | 60 | - | dB |
| Tensione distacco | VDrop | IO=-1A, TJ= 25°C | - | -2 | - | V |
| Corrente corto circuito | ISC | VI=-35V, TA= 25°C | - | -300 | - | mA |
| Corrente di picco | IPK | TJ= 25°C | - | -2.2 | - | A |
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Componenti amplificazione di potenza | Parti con scambio ad alta frequenza | Transistor metallico
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