Transistor di potenza NPN siliconato A3
Il transistor di potenza NPN siliconato è ad alta potenza e impacchettato in un contenitore di plastica. È usato principalmente per circuiti con scambio di potenza ad alta velocità.
Livelli massimi assoluti (TA=25°C)| Parametri | Simbolo | Valore | Unit |
| Tensione di base collettore | VCBO | 850 | V |
| Tensione emissione collettore | VCEO | 400 | V |
| Tensione base emittore | VEBO | 9 | V |
| Corrente collettore | IC | 15 | A |
| Corrente base | IB | 10 | A |
| Dissipazione potenza totale | Ptot | 175 | W |
| Massima temperatura di utilizzo giunzione | TJ | 150 | °C |
| Temperatura di stoccaggio | TSTG | -55 to 150 | °C |
| Parametri | Simbolo | Condizioni test | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| Corrente di interruzione collettore | ICBO | VCE=850V, IE=0 | - | - | 1.0 | mA |
| Corrente di interruzione emittore | IEBO | VEB=9V, IC=0 | - | - | 1.0 | mA |
| Tensione sostentamento collettore-emittore | VCEO(sus) | IC=10mA, IB=0 | 400 | - | - | V |
| Guadagno corrente DC | hFE(1) | VCE=2.0V, IC=5.0A | 12 | - | 60 | - |
| hFE(2) | VCE=2.0V, IC=10A | 6 | - | 30 | - | |
| Tensione saturazione collettore-emittore | VCE(sat) | IC=10A, IB=2.0A | - | - | 1.5 | V |
| IC=15A, IB=3.0A | - | - | 5.0 | |||
| Emittore base su tensione | VBE(on) | IC=10A, IB=2.0A | - | - | 1.6 | V |
| Guadagno corrente per banda | fT | VCE=10V, IC=0.5A, f=1MHz | 6.0 | － | 35 | MHz |
| Tempo di spegnimento | tS | IB1=-IB2=2.0A, Tp=25μs | － | － | 4.0 | μs |
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Amplificatore potenza | Dispositivo ad alta potenza | Transistor per segnali piccoli
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