Transistor siliconato NPN A6
Il transistor NPN siliconato è ad alta tensione ed alta velocità, con rivestimento vitreo passivato e impacchettato in contenitore.
Livelli massimi assoluti (TA=25°C)| Parametri | Simbolo | Valore | Unit |
| Tensione di base collettore | VCBO | 1000 | V |
| Tensione emissione collettore | VCEO | 450 | V |
| Tensione base emittore | VEBO | 9 | V |
| Corrente collettore | IC | 8.0 | A |
| Corrente base | IB | 4.0 | A |
| Dissipazione potenza totale | Ptot | 125 | W |
| Massima temperatura di utilizzo giunzione | TJ | 150 | °C |
| Temperatura di stoccaggio | TSTG | -55 to 150 | °C |
| Parametri | Simbolo | Condizioni test | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| Corrente di interruzione collettore | ICBO | VCE=1000V, IE=0 | - | - | 1.0 | mA |
| Corrente di interruzione emittore | IEBO | VEB=9V, IC=0 | - | - | 1.0 | mA |
| Tensione sostentamento collettore-emittore | VCEO(sus) | IC=100mA, IB=0 | 450 | - | - | V |
| Guadagno corrente DC | hFE(1) | VCE=5V, IC=10mA | 10 | - | 35 | - |
| hFE(2) | VCE=5V, IC=1.0A | 10 | - | 35 | - | |
| Tensione saturazione collettore-emittore | VCE(sat) | IC=6.0A, IB=1.2A | - | - | 1.5 | V |
| Emittore base su tensione | VBE(sat) | IC=6.0A, IB=1.2A | - | - | 1.5 | V |
| Guadagno corrente per banda | fT | VCE=10V, IC=0.5A, | 10 | - | - | MHz |
| Capacitanza uscita | Cob | VCB=10V, IE=0, f=0.1MHz | - | 21 | - | pF |
| Tempo di spegnimento | tS | IB1=-IB2=1.6A, Tp=25μs | - | 1.9 | 2.5 | μs |
Nomi correlati
Transistor guida | Semiconduttore ad alta velocità | Componenti di potenza a scambio
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