Transistor NPN siliconato planare triplo diffuso A8
Questo transistor NPN siliconato planare triplo diffuso presenta un’ampia area di utilizzo sicura ma anche bassa varianza nel tempo di stoccaggio, è presente un diodo libero integrato. Il prodotto è ideale per resistenze elettriche, applicazioni di scambio ad alta potenza e alta tensione, ecc.
Livelli massimi assoluti (TA=25°C)| Parametri | Simbolo | Valore | Unit |
| Tensione di base collettore | VCBO | 700 | V |
| Tensione emissione collettore | VCEO | 400 | V |
| Tensione base emittore | VEBO | 12 | V |
| Corrente collettore | IC | 4.0 | A |
| Corrente base | IB | 2.0 | A |
| Dissipazione potenza totale | Ptot | 30 | W |
| Massima temperatura di utilizzo giunzione | TJ | 150 | °C |
| Temperatura di stoccaggio | TSTG | -55 to 150 | °C |
| Parametri | Simbolo | Condizioni test | Min. | Type. | Max. | Unit |
| Corrente di interruzione collettore | ICBO | VCE=700V, IE=0 | - | - | 100 | μA |
| Corrente di interruzione emittore | IEBO | VEB=9V, IC=0 | - | - | 100 | μA |
| Tensione sostentamento collettore-emittore | VCEO(sus) | IC=5.0mA, IB=0 | 400 | - | - | V |
| Guadagno corrente DC | hFE(1) | VCE=5V, IC=10mA | 10 | - | - | |
| hFE(2) | VCE=5V, IC=2.0A | 8 | | 40 | | |
| Tensione saturazione collettore-emittore | VCE(sat) | IC=1.0A, IB=0.2A | - | - | 1.0 | |
| IC=2.5A, IB=0.5A | - | | 1.5 | V | ||
| Emittore base su tensione | VBE(sat) | IC=1.0A, IB=0.2A | - | - | 1.2 | |
| IC=2.5A, IB=0.5A | | | 1.8 | V | ||
| Caduta di tensione diretta diodo interno | Vf | IF=2.0A | - | - | 2.5 | V |
| Tempo di spegnimento | tS | IB1= IB2=0.4A, TP=30μs | - | 2.0 | 4.0 | μs |
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MOSFET Canale N | Scambio transistor ad alta potenza | Transistor a giunzione aumentata
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