Transistor NPN di potenza siliconato A12

Transistor NPN di potenza siliconato A12
: http://sensing-photonics.it/2-1-1-high-power-single-frequency.html

Il Transistor NPN di potenza siliconato è incapsulato in un pacchetto di plastica e viene usato per circuiti di scambio ad alta velocità.

Livelli massimi assoluti (TA=25°C)
Parametri Simbolo Valore Unit
Tensione di base collettore VCBO 700 V
Tensione emissione collettore VCEO 400 V
Tensione base emittore VEBO 9 V
Corrente collettore IC 8.0 A
Corrente base IB 4 A
Dissipazione potenza totale Ptot 80 W
Massima temperatura di utilizzo giunzione TJ 150 °C
Caratteristiche elettriche (TA=25°C)
Parametri Simbolo Condizioni test Min. Typ. Max. Unit
Corrente di interruzione collettore ICBO VCE=700V, IE=0 - - 1.0 mA
Corrente di interruzione emittore IEBO VEB=9V, IC=0 - - 1.0 mA
Tensione sostentamento collettore-emittore VCEO(sus) IC=10mA, IB=0 400 - - V
Guadagno corrente DC hFE(1) VCE=5V, IC=2.0A 8 - 40 -
hFE(2) VCE=5V, IC=2.0A 6 - 30 -
Tensione saturazione collettore-emittore VCE(sat) IC=8.0A, IB=2.0A - - 3.0 V
IC=5.0A, IB=1.0A - - 1.5
Tensione saturazione base emittore VBE(sat) IC=5.0A, IB=1.0A - - 1.6 V
Guadagno corrente per banda fT VCE=10V, IC=0.5A, f=1MHZ 4 - - MHz
Output capacitance Cob VCB=10V, IE=0, f=0.1MHz - 21 - pF
Turn off time tS IB1=-IB2=1.6A, Tp=25μs - 1.9 2.5 μs

Nomi correlati
Dispositivo cambio segnale | Amplificatore potenza ad alta velocità | Parti alimentazione lineare

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