Transistor di potenza siliconato complementare A1
Il transistor di potenza siliconato complementare può essere diviso in due parti. Impacchettato in un contenitore metallico, il una parte è un transistor planare NPN siliconato con base epitassiale e serve per scambi su circuiti di potenza, regolatori in serie e spinti, amplificatori ad alta precisione. Il una parte è il transistor PNP complementare.
Livelli massimi assoluti (TA=25°C)| Parametri | Simbolo | Valore | Unit |
| Tensione di base collettore | VCBO | 100 | V |
| Tensione emissione collettore | VCEO | 60 | V |
| Tensione base emittore | VEBO | 7 | V |
| Corrente collettore | IC | 15 | A |
| Corrente base | IB | 7 | A |
| Dissipazione potenza totale | Ptot | 115 | W |
| Massima temperatura di utilizzo giunzione | TJ | 150 | °C |
| Temperatura di stoccaggio | TSTG | -40 to 150 | °C |
| Parametri | Simbolo | Condizioni test | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| Corrente di interruzione collettore | ICEO | VCE=50V, IB=0 | - | - | 0.7 | mA |
| Corrente di interruzione emittore | IEBO | VEB=7V, IC=0 | - | - | 5.0 | mA |
| Tensione sostentamento collettore-emittore | VCEO(sus) | IC=100mA, IB=0 | 60 | - | - | V |
| Guadagno corrente DC | hFE(1) | VCE=4.0V, IC=4.0A | 30 | - | 70 | - |
| hFE(2) | VCE=4.0V, IC=10A | 15 | - | | - | |
| Tensione saturazione collettore-emittore | VCE(sat) | IC=4.0A, IB=400mA | - | - | 1.0 | V |
| IC=10A, IB=3.3A | - | - | 3.0 | |||
| Emittore base su tensione | VBE(on) | VCE=4V, IC=4.0A | - | - | 1.8 | V |
| Guadagno corrente per banda | fT | VCE=4V, IC=500mA | - | 3.0 | | MHz |
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Transistor a effetto di campo | Unità amplificazione potenza | Transistor monogiunzione
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