Transistor di potenza siliconato complementare A2 Produttori

Transistor di potenza siliconato complementare A2

: http://magnet-materials.it/1-1-6-special-shape-smco-magnets.html

Caratteristiche
1. Il transistor di potenza siliconato complementare come indica il nome, contiene due parti.
2. Il una parte è un transistor NPN planare con base epitassiale siliconato e il una parte è il transistor PNP complementare.
3. Impacchettato in un contenitore metallico il prodotto serve per scambi su circuiti di potenza, regolatori in serie e spinti, amplificatori ad alta precisione.

Livelli massimi assoluti (TA=25°C)

Parametri	Simbolo	Valore	Unit
Tensione di base collettore	V_CBO	160	V
Tensione emissione collettore	V_CEO	140	V
Tensione base emittore	V_EBO	7	V
Corrente collettore	I_C	16	A
Corrente base	I_B	4	A
Dissipazione potenza totale	P_tot	150	W
Massima temperatura di utilizzo giunzione	T_J	150	°C
Temperatura di stoccaggio	T_STG	-40 to 150	°C

Caratteristiche elettriche (TA=25°C)

Parametri	Simbolo	Condizioni test	Min.	Typ.	Max.	Unit
Corrente di interruzione collettore	I_CEO	V_CE=50V, I_B=0	-	-	10	mA
Corrente di interruzione emittore	I_EBO	V_EB=7V, I_C=0	-	-	5.0	mA
Tensione sostentamento collettore-emittore	V_CEO(sus)	I_C=200mA, I_B=0	140	-	-	V
Guadagno corrente DC	h_FE₍₁₎	V_CE=4.0V, I_C=8.0A	15	-	60	-
	h_FE₍₂₎	V_CE=4.0V, I_C=16A	5	-	-	-
	h_FE₍₃₎	V_CE=5.0V, I_C=1.0A	80	-	160	-
Tensione saturazione collettore-emittore	V_CE(sat)	I_C=8.0A, I_B=800mA	-	-	1.4	V
Tensione saturazione collettore-emittore	V_CE(sat)	I_C=16A, I_B=3.2A	-	-	4.0	V
Emittore base su tensione	V_BE(on)	V_CE=4V, I_C=8.0A	-	-	2.2	V
Guadagno corrente per banda	f_T	V_CE=4V, I_C=500mA	-	3.0	-	MHz

Nomi correlati
Transistor per applicazioni generali | Dispositivo semiconduttore di potenza | Parti con scambio ad alta velocità

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