Transistor Darlington siliconato complementare A10
Il transistor Darlington siliconato complementare è progettato per amplificatori e applicazioni in generale. Il una parte è un transistor di potenza NPN a base epitassiale siliconato in configurazione Darlington monolitica, mentre il una parte è il transistor PNP complementare. Inoltre il prodotto è impacchettato in un contenitore metallico.
Livelli massimi assoluti (TA=25°C)| Parametri | Simbolo | Valore | Unit |
| Tensione di base collettore | VCBO | 700 | V |
| Tensione emissione collettore | VCEO | 400 | V |
| Tensione base emittore | VEBO | 12 | V |
| Corrente collettore | IC | 4.0 | A |
| Corrente base | IB | 2.0 | A |
| Dissipazione potenza totale | Ptot | 30 | W |
| Massima temperatura di utilizzo giunzione | TJ | 150 | °C |
| Temperatura di stoccaggio | TSTG | -55 to 150 | °C |
| Parametri | Simbolo | Condizioni test | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| Corrente di interruzione collettore | ICEO | VCE=50V, IB=0 | - | - | 10 | μA |
| Corrente di interruzione collettore | ICBO | VCB=100V, IE=0 | - | - | 10 | μA |
| Corrente di interruzione emittore | IEBO | VEB=5V, IC=0 | - | - | 2.0 | mA |
| Tensione sostentamento collettore-emittore | VCEO(sus) | IC=30mA, IB=0 | 100 | - | - | V |
| Guadagno corrente DC | hFE(1) | VCE=4V, IC=4.0A | 1000 | - | 12000 | |
| hFE(2) | VCE=4V, IC=8.0A | 100 | - | - | ||
| Tensione saturazione collettore-emittore | VCE(sat) | IC=4.0 A, IB=16mA | - | - | 2.0 | V |
| IC=8.0 A, IB=80mA | - | - | 4.0 | |||
| Emittore base su tensione | VBE(on) | VCE=4V, IC=4.0 A, | - | - | 2.8 | V |
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Transistor SMD | Amplificatore segnale elettronico | Dispositivo semiconduttore
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