Diodo Schottky 10A-2
Caratteristiche
1. Grazie alla tecnologia brevettata per la protezione, diodo Schottky 10A è in grado di funzionare normalmente a temperature di giunzione che raggiungono i 110°C.
2. Il nostro prodotto presenta basse perdite inverse ad alta temperatura.
3. È ideale per convertitori, alimentatori con scambio, diodi, protezioni per batterie inverse, ecc.
Livelli massimi assoluti (TA=25°C)
| Parametri | Simbolo | Valore | Unit |
| Tensione inversa ripetitiva di picco | VRRM | 200 | V |
| Corrente media diretta rettificata | IF(AV) | 10 | A |
| Corrente di sovratensione di picco da 8.3ms di metà onda sinusoidale sovrapposta al carico nominale (JEDEC metodo) | IFSM | 120 | A |
| Massima temperatura di utilizzo giunzione | TJ | 110 | °C |
| Intervallo temperatura di stoccaggio | TSTG | -45 to 150 | °C |
| Parametri | Simbolo | Condizioni test | Min. | Tipico | Max. | Unit |
| Tensione inversa ripetitiva di picco Tensione inversa di picco di utilizzo Tensione di bloccaggio DC | VRRM VRWM VR | - | - | 200 | - | V |
| Corrente media rettificata in uscita | IO | @ TC=105°C | - | 10 | - | V |
| Corrente di sovratensione di picco non ripetitiva da 8.3ms di metà onda sinusoidale sovrapposta al carico nominale (JEDEC metodo) | IFSM | - | - | 120 | - | A |
| Caduta di tensione diretta | VF | @ IF=5.0A, TC=105°C @ IF=5.0A, TC=25°C | - | 0.87 0.99 | - | V |
| Corrente inversa di picco con tensione VR | IR | @ TC=25°C @ TC=125°C | - | 0.2 5.0 | - | mA |
| Capacità di giunzione nominale | CJ | - | - | 150 | - | pF |
Nomi correlati
Diodo MOSFET | Diodo rettificatore ad alta tensione | Diodo di giunzione
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